● 制造方法:CZ法● 平面方位:100● OF位置:110● 電阻值:0.1~100Ω?cm ※低電阻:≦0.02Ω?cm、高電阻:≧500Ω?cm● 粒子:2-960-01~08/不論粒子、 2-960-51~62/≧0.3um、10個(gè)以下 編號(hào) 尺寸(英寸)×傳導(dǎo)類(lèi)型 OF長(zhǎng)(mm)×晶片厚度(um) 數(shù)量 ">

beegxxxxhd,国产v在线观看,精品偷拍自拍,麻豆影视免费观看电影大全,欧美十区,成人a大片

產(chǎn)品展示

日本亞速旺 ASONE 2-960-01 研究用高純度硅晶片 研究用高純度シリコンウェハー WAFER

日本ASONE,藤野優(yōu)勢(shì)代理,日本亞速旺中國(guó)區(qū)正規(guī)授權(quán),全系優(yōu)惠供應(yīng)!.規(guī)格:>● 制造方法:CZ法● 平面方位:100● OF位置:110● 電阻值:0.1~100Ω?cm ※低電阻:≦0.02Ω?cm、高電阻:≧500Ω?cm● 粒子:2-960-01~08/不論粒子、 2-960-51~62/≧0.3um、10個(gè)以下 編號(hào) 尺寸(英寸)×傳導(dǎo)類(lèi)型 OF長(zhǎng)(mm)×晶片厚度(um) 數(shù)量

  • 型號(hào): 日本亞速旺 ASONE 2-960-01 研究用高純度硅晶片 研究用高純度シリコンウェハー WAFER
日本ASONE,藤野優(yōu)勢(shì)代理,日本亞速旺中國(guó)區(qū)正規(guī)授權(quán),全系優(yōu)惠供應(yīng)!


.規(guī)格:
>
● 制造方法:CZ法
● 平面方位:100
● OF位置:110
● 電阻值:0.1~100Ω?cm ※低電阻:≦0.02Ω?cm、高電阻:≧500Ω?cm
● 粒子:2-960-01~08/不論粒子、 2-960-51~62/≧0.3um、10個(gè)以下
編號(hào) 尺寸(英寸)×傳導(dǎo)類(lèi)型 OF長(zhǎng)(mm)×晶片厚度(um) 數(shù)量 RMB(含稅) 北京庫(kù)存 上海庫(kù)存 日本庫(kù)存 參考貨期 選購(gòu)數(shù)量
2-960-01 2×P型 17.5±2.5×280±25 1片 490.00 0 0 53
2-960-02 2×N型 17.5±2.5×280±25 1片 490.00 0 0 53
2-960-03 3×P型 22.5±2.5×380±25 1片 480.00 0 0 23
2-960-04 3×N型 22.5±2.5×380±25 1片 480.00 0 0 21
2-960-05 4×P型 32.5±2.5×525±25 1片 490.00 0 0 0 另詢(xún)
2-960-07 4×P型(低電阻) 32.5±2.5×525±25 1片 570.00 0 0 0 18天左右
2-960-08 4×P型(高電阻) 32.5±2.5×525±25 1片 620.00 0 0 10
2-960-06 4×N型 32.5±2.5×525±25 1片 500.00 0 0 25

※日本在庫(kù)的情況下,從日本寄送大概需要18天左右
※專(zhuān)門(mén)訂購(gòu)品:●可進(jìn)行方位(裁切角度)、OF位置角度公差、厚度公差更小的高精度加工,通過(guò)蝕刻進(jìn)行準(zhǔn)確的溝槽形成。●可進(jìn)行多樣化的形狀加工和表面處理(例:锪孔加工、穿孔加工、氧化膜包衣晶片)。●可根據(jù)所希望的電阻率、晶片厚度進(jìn)行對(duì)應(yīng)。

藤野貿(mào)易(廣州)有限公司-主營(yíng)FA自動(dòng)化、膠粘材料、油脂材料、機(jī)械設(shè)備、精密儀器、物流搬運(yùn),工具等產(chǎn)品
http://www.90pv.com

藤野貿(mào)易(廣州)有限公司-主營(yíng)FA自動(dòng)化、膠粘材料、油脂材料、機(jī)械設(shè)備、精密儀器、物流搬運(yùn),工具等產(chǎn)品

藤野貿(mào)易(廣州)有限公司-主營(yíng)FA自動(dòng)化、膠粘材料、油脂材料、機(jī)械設(shè)備、精密儀器、物流搬運(yùn),工具等產(chǎn)品

藤野貿(mào)易(廣州)有限公司-主營(yíng)FA自動(dòng)化、膠粘材料、油脂材料、機(jī)械設(shè)備、精密儀器、物流搬運(yùn),工具等產(chǎn)品